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韓國(guó)中小半導(dǎo)體企業(yè)轉(zhuǎn)向英偉達(dá)、臺(tái)積電

2025/1/3 9:41:28 標(biāo)簽:中國(guó)傳動(dòng)網(wǎng)

ZDNet Korea報(bào)道稱(chēng),韓國(guó)中小型制造業(yè)正在配合英偉達(dá)和臺(tái)積電下一代技術(shù)的引進(jìn),特別是在英偉達(dá)計(jì)劃于2025年正式發(fā)表的下一代B300 AI芯片。

這款芯片將是英偉達(dá)Blackwell架構(gòu)旗下效能最高的產(chǎn)品,需要新的材料與設(shè)備來(lái)配合,促使韓國(guó)中小半導(dǎo)體企業(yè)開(kāi)始緊盯進(jìn)度。

英偉達(dá)B300 AI芯片預(yù)計(jì)將配備12層堆疊的HBM3E內(nèi)存,并以板載形式生產(chǎn),整合高性能GPU、HBM和其他芯片。

這一變化意味著,如果新的AI芯片改用基板生產(chǎn)模式,舊型的連接界面將會(huì)帶來(lái)效能問(wèn)題,因此GPU和載板之間的穩(wěn)定連接被認(rèn)為是需要克服的瓶頸。

連接介面主要由韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣的后端制程組件公司供應(yīng),這些公司從2024年第四季度起提供新的連接介面產(chǎn)品測(cè)試。

臺(tái)積電也正在升級(jí)CoWoS先進(jìn)封裝,CoWoS將半導(dǎo)體芯片水平放置在基板的硅中介層上,臺(tái)積電用更小中介層CoWoS-L于最新HBM產(chǎn)品。

CoWoS電路測(cè)量采用3D光學(xué)檢測(cè),布線(xiàn)寬度減至1微米時(shí),性能限制使測(cè)量困難,臺(tái)積電制定將AFM(原子顯微鏡)用于CoWoS。


供稿:21ic電子網(wǎng)

本文鏈接:http://www.770588.com/content.aspx?url=rew&id=5577

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